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IRF9530NPBF
MOSFET di potenza, canale P, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-220AB, foro passante (THT)
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIRF9530NPBF
Codice Prodotto8648603
Gamma ProdottiHEXFET Series
Anche noto comeSP001570634
Datasheet tecnico
8 280 A Stock
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| Quantità | |
|---|---|
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| 100+ | € 0,568 |
| 500+ | € 0,468 |
| 1000+ | € 0,430 |
| 5000+ | € 0,364 |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIRF9530NPBF
Codice Prodotto8648603
Gamma ProdottiHEXFET Series
Anche noto comeSP001570634
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione Drain Source Vds100V
Corrente Continua di Drain Id13A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.2ohm
Stile di Case del TransistorTO-220AB
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di potenza79W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiHEXFET Series
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
IRF9530NPBF è un singolo MOSFET di potenza HEXFET a canale P da -100V in un package TO-220AB. Questo prodotto è caratterizzato da resistenza in conduzione per area di silicio estremamente bassa, rapporto dv/dt dinamico, commutazione rapida e robusta e massima capacità di valanga. È grazie a queste caratteristiche che i MOSFET di potenza sono noti per fornire efficienza e affidabilità estreme da usare in un'ampia varietà di applicazioni.
- Tensione pozzo-sorgente (drain-source o Vds): -100V
- Tensione gate-source (Vgs): ±20V
- Resistenza di conduzione Rds(on): 200mohm
- Dissipazione di potenza (Pd): 79W a 25°C
- Corrente di drain continua (Id): -14A a Vgs -10V e 25°C
- Temperatura di giunzione di esercizio: da -55°C a 175°C
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Corrente Continua di Drain Id
13A
Stile di Case del Transistor
TO-220AB
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
79W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
100V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.2ohm
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
HEXFET Series
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (3)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.002041