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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIRF8302MTRPBF
Codice Prodotto3227660
Gamma ProdottiHEXFET
Anche noto comeSP001555742
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds30V
Corrente Continua di Drain Id190A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0014ohm
Stile di Case del TransistorWDSON
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima1.8V
Dissipazione di potenza104W
Numero di pin5Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiHEXFET
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Alternative per IRF8302MTRPBF
1 prodotto trovato
Panoramica del prodotto
Avvertenze
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Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
190A
Stile di Case del Transistor
WDSON
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
104W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
30V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0014ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
1.8V
Numero di pin
5Pin
Gamma di prodotti
HEXFET
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0003
Tracciabilità del prodotto