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IRF530NSTRLPBF

Name: INFINEON IRF530NSTRLPBF
Brand: INFINEON
SKU: 2467990
Availability: InStock

MOSFET di potenza, canale N, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), montaggio superficiale (SMT)

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ProduttoreINFINEON

Cod. produttoreIRF530NSTRLPBF

Codice Prodotto2467990

Anche noto comeSP001563332

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Informazioni sui prodotti

ProduttoreINFINEON

Cod. produttoreIRF530NSTRLPBF

Codice Prodotto2467990

Anche noto comeSP001563332

Datasheet tecnico

Data Sheet

Tipo di canalecanale N

Tensione Drain Source Vds100V

Corrente Continua di Drain Id17A

Resistenza Drain-Source in conduzione0.09ohm

Stile di Case del TransistorTO-263 (D2PAK)

Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)

Tensione di test di Rds(on)10V

Tensione di soglia Gate-Source massima4V

Dissipazione di potenza70W

Numero di pin3Pin

Temperatura di esercizio max175°C

Gamma di prodotti-

Qualificazioni-

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata

Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)

Panoramica del prodotto

The IRF530NSTRLPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation for use in a wide variety of applications. The surface-mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest possible ON-resistance in any existing surface-mount package. It is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2W in a typical surface-mount application.

Advanced process technology
Ultra-low ON-resistance
Dynamic dV/dt rating
Fast switching
Fully avalanche rating

Specifiche tecniche

Tipo di canale

canale N

Corrente Continua di Drain Id

17A

Stile di Case del Transistor

TO-263 (D2PAK)

Tensione di test di Rds(on)

10V

Dissipazione di potenza

70W

Temperatura di esercizio max

175°C

Qualificazioni

Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)

No SVHC (21-Jan-2025)

Tensione Drain Source Vds

100V

Resistenza Drain-Source in conduzione

0.09ohm

Montaggio Transistore

montaggio superficiale (SMT)

Tensione di soglia Gate-Source massima

Numero di pin

3Pin

Gamma di prodotti

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

MSL 1 - Non Limitata

Documenti tecnici (1)

Technical Data Sheet EN

Alternative per IRF530NSTRLPBF

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Legislazione e ambiente

Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo

Tariffa n.:85412900

US ECCN:EAR99

EU ECCN:NLR

Conforme alla direttiva RoHS:Sì

RoHS

Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì

RoHS

Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)

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Certificato di conformità del prodotto

Peso (kg):.00207

Tracciabilità del prodotto