Stampa pagina
IRF5210STRLPBF
MOSFET di potenza, canale P, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), montaggio superficiale (SMT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIRF5210STRLPBF
Codice Prodotto1298529
Anche noto comeSP001554020
Datasheet tecnico
27 651 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 3,450 |
| 10+ | € 1,680 |
| 100+ | € 1,610 |
| 500+ | € 1,440 |
| 1000+ | € 1,270 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 1
Più: 1
€ 3,45 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIRF5210STRLPBF
Codice Prodotto1298529
Anche noto comeSP001554020
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione Drain Source Vds100V
Corrente Continua di Drain Id38A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.06ohm
Stile di Case del TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di potenza3.8W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
The IRF5210STRLPBF is a HEXFET® single P-channel Power MOSFET offers of this design is a 150°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of other applications.
- Advanced process technology
- Ultra-low ON-resistance
- Fast switching
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Corrente Continua di Drain Id
38A
Stile di Case del Transistor
TO-263 (D2PAK)
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
3.8W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
100V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.06ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (3)
Alternative per IRF5210STRLPBF
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00143