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IRF520NSTRLPBF
MOSFET di potenza, canale N, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-263AB, montaggio superficiale (SMT)
Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIRF520NSTRLPBF
Codice Prodotto2725886RL
Gamma ProdottiHEXFET
Anche noto comeSP001551098
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds100V
Corrente Continua di Drain Id9.7A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.2ohm
Stile di Case del TransistorTO-263AB
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di potenza48W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiHEXFET
Qualificazioni-
Panoramica del prodotto
Single N-channel IR power MOSFET. It utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.
- Advanced process technology
- Fast switching
- Fully avalanche rated
- Planar cell structure for wide SOA
- Product qualification according to JEDEC standard
- High-current rating and high current carrying capability
- Increased ruggedness
- Industry standard qualification level
- Standard pinout allows for drop in replacement
Avvertenze
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
9.7A
Stile di Case del Transistor
TO-263AB
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
48W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
100V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.2ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
HEXFET
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001
Tracciabilità del prodotto