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IRF4905PBF
MOSFET di potenza, canale P, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-220AB, foro passante (THT)
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIRF4905PBF
Codice Prodotto8648190
Gamma ProdottiHEXFET Series
Anche noto comeSP001571330
Datasheet tecnico
74 464 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIRF4905PBF
Codice Prodotto8648190
Gamma ProdottiHEXFET Series
Anche noto comeSP001571330
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione Drain Source Vds55V
Corrente Continua di Drain Id74A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.02ohm
Stile di Case del TransistorTO-220AB
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di potenza200W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiHEXFET Series
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
IRF4905PBF è un singolo MOSFET di potenza HEXFET a canale P da -55V in un package TO-220AB. Questo prodotto è caratterizzato da resistenza in conduzione per area di silicio estremamente bassa, rapporto dv/dt dinamico, commutazione rapida e robusta e massima capacità di valanga. È grazie a queste caratteristiche che i MOSFET di potenza sono noti per fornire efficienza e affidabilità estreme da usare in un'ampia varietà di applicazioni.
- Tensione drain-source (Vds): -55V
- Tensione gate-source (Vgs): ±20V
- Resistenza di conduzione Rds(on): 20mohm a Vgs -10V
- Dissipazione di potenza (Pd): 200W a 25°C
- Corrente di drain continua (Id): -74A a Vgs 10V e 25°C
- Temperatura di giunzione: da -55°C a 175°C
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Corrente Continua di Drain Id
74A
Stile di Case del Transistor
TO-220AB
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
200W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
55V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.02ohm
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
HEXFET Series
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.002041