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IRF3205ZLPBF
MOSFET di potenza, canale N, 55 V, 110 A, 0.0065 ohm, TO-262, foro passante (THT)
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIRF3205ZLPBF
Codice Prodotto2579973
Gamma ProdottiHEXFET Series
Anche noto comeSP001564660
Datasheet tecnico
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIRF3205ZLPBF
Codice Prodotto2579973
Gamma ProdottiHEXFET Series
Anche noto comeSP001564660
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds55V
Corrente Continua di Drain Id110A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0065ohm
Stile di Case del TransistorTO-262
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di potenza170W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiHEXFET Series
Qualificazioni-
Panoramica del prodotto
IRF3205ZLPBF is a HEXFET® Power MOSFET that utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. This feature combines to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
- Ultra low on-resistance
- Fast switching, repetitive avalanche allowed up to Tjmax
- Drain-to-source breakdown voltage is 55V (min, VGS = 0V, ID = 250µA, TJ = 25°C)
- Static drain-to-source on-resistance is 4.9mohm (typ, VGS = 10V, ID = 66A, TJ = 25°C)
- Drain-to-source leakage current is 20µA (max, VDS = 55V, VGS = 0, TJ = 25°C)
- Gate-to-source charge is 21nC (typ, VDS = 44V, TJ = 25°C)
- Turn-on delay time is 18ns (typ, VDD = 28, TJ = 25°C)
- Fall time is 67ns (typ, VGS = 10V, TJ = 25°C)
- Reverse recovery time is 28ns (typ, TJ = 25°C, IF = 66A, VDD = 25V)
- TO-262 package, operating junction and storage temperature range from -55 to 175°C
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
110A
Stile di Case del Transistor
TO-262
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
170W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
55V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0065ohm
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
HEXFET Series
Documenti tecnici (2)
Prodotti associati
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Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Mexico
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Mexico
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001225