IRF3205STRLPBF

L’IRF3205STRLPBF è un MOSFET di potenza a singolo canale N HEXFET® che utilizza tecniche di elaborazione avanzate per raggiungere una resistenza in ON per area in silicio estremamente bassa. Questa caratteristica, unita alla struttura rinforzata e alla grande velocità di commutazione, fornisce un’operatività efficiente e affidabile. Il package a montaggio superficiale è in grado di accogliere chip di misura fino a HEX-4. Offre un’altissima capacità di potenza e la resistenza in ON minore possibile in qualsiasi package a montaggio superficiale esistente. Grazie alla bassa resistenza della connessione interna, inoltre, è adatto per le applicazioni ad alta corrente e può dissipare fino a 2W in una tipica applicazione a montaggio superficiale.

• Tecnologia di elaborazione avanzata
• Variazione di tensione dV/dt dinamica
• Modalità a valanga alla massima capacità nominale