IRF3205PBF
MOSFET di potenza, canale N, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-220AB, foro passante (THT)
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| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 1,190 |
| 10+ | € 1,170 |
| 100+ | € 0,684 |
| 500+ | € 0,584 |
| 1000+ | € 0,529 |
| 5000+ | € 0,474 |
Informazioni sui prodotti
Panoramica del prodotto
L'IRF3205PBF è un MOSFET di potenza a canale N HEXFET® dotato di resistenza in conduzione per area di silicio estremamente bassa e prestazioni di commutazione rapide. I MOSFET di potenza HEXFET® avanzati utilizzano delle tecniche di elaborazione avanzate per ottenere una resistenza in conduzione (RdsON) per area di silicio estremamente bassa. Queste proprietà, unite alla grande velocità di commutazione e al design rinforzato del dispositivo che caratterizza i MOSFET di potenza HEXFET, rende lo strumento estremamente efficiente e affidabile da applicare in una vasta serie di applicazioni.
- Tasso dinamico dV/dt
- La modalità a valanga è alla massima capacità nominale
- Commutazione rapida
- Tensione gate-source: ±20V
Specifiche tecniche
canale N
110A
TO-220AB
10V
200W
175°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
55V
0.008ohm
foro passante (THT)
4V
3Pin
HEXFET Series
-
Documenti tecnici (3)
Alternative per IRF3205PBF
2 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
RoHS
RoHS
Certificato di conformità del prodotto