Ti serve altro?
Quantità | |
---|---|
1+ | € 3,050 |
10+ | € 2,260 |
25+ | € 2,070 |
50+ | € 1,970 |
100+ | € 1,870 |
250+ | € 1,700 |
500+ | € 1,630 |
1000+ | € 1,550 |
Informazioni sui prodotti
Panoramica del prodotto
The IR2110STRPBF is a high speed power MOSFET/IGBT Driver with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output driver feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. Propagation delays are matched to simplify use in high frequency applications. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration which operates up to 500 or 600 volts.
- Floating channel designed for bootstrap operation
- Tolerant to negative transient voltage
- dV/dt immune
- Under-voltage lockout for both channels
- Logic and power ground ±5V offset
- CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down
- Cycle-by-cycle edge-triggered shutdown logic
- Matched propagation delay for both channels
- Outputs in phase with inputs
Specifiche tecniche
2Canali
High Side e Low Side
16Pin
montaggio superficiale
2A
10V
-40°C
120ns
-
MSL 3 - 168 ore
-
IGBT, MOSFET
SOIC
Non-Invertente
2A
20V
125°C
94ns
-
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (1)
Prodotti associati
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
RoHS
RoHS
Certificato di conformità del prodotto