Stampa pagina
IQE013N04LM6CGATMA1
MOSFET di potenza, canale N, 40 V, 205 A, 0.0011 ohm, TTFN, montaggio superficiale (SMT)
1 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 100+ | € 1,170 |
| 500+ | € 0,988 |
| 1000+ | € 0,941 |
| 5000+ | € 0,823 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 100
Più: 1
€ 122,00 (IVA esc)
Per questo prodotto verranno addebitati € 5,00 per il re-reeling
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIQE013N04LM6CGATMA1
Codice Prodotto3582475RL
Gamma ProdottiOptiMOS
Anche noto comeIQE013N04LM6CG, SP005340908
Datasheet tecnico
Polarità Transistorcanale N
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds40V
Corrente Continua di Drain Id205A
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.0011ohm
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0011ohm
Stile di Case del TransistorTTFN
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima1.6V
Dissipazione di Potenza Pd107W
Dissipazione di potenza107W
Numero di pin9Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiOptiMOS
Qualificazioni-
Standard di Qualifica Automotive-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
Avvertenze
La forte domanda di mercato ha causato un'estensione dei tempi di spedizione. Le date di consegna potrebbero variare. Articolo esente da sconti.
Specifiche tecniche
Polarità Transistor
canale N
Tensione Drain Source Vds
40V
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.0011ohm
Stile di Case del Transistor
TTFN
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di Potenza Pd
107W
Numero di pin
9Pin
Gamma di prodotti
OptiMOS
Standard di Qualifica Automotive
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
205A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0011ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
1.6V
Dissipazione di potenza
107W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00143
Tracciabilità del prodotto