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IPW60R041P6FKSA1
MOSFET di potenza, canale N, 600 V, 77.5 A, 0.041 ohm, TO-247, foro passante (THT)
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPW60R041P6FKSA1
Codice Prodotto2709899
Gamma ProdottiCoolMOS P6
Anche noto comeIPW60R041P6, SP001091630
Datasheet tecnico
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPW60R041P6FKSA1
Codice Prodotto2709899
Gamma ProdottiCoolMOS P6
Anche noto comeIPW60R041P6, SP001091630
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds600V
Corrente Continua di Drain Id77.5A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.041ohm
Stile di Case del TransistorTO-247
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di potenza481W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiCoolMOS P6
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
Transistore di potenza P6 CoolMOS™ da 600V, una tecnologia rivoluzionaria per i MOSFET di potenza ad alta tensione. Pensato sulla base del principio della supergiunzione (SJ), è adatto per l'uso negli stadi di correzione del fattore di potenza e negli stadi di commutazione risonante per, per esempio, PC silverbox, adattatori, TV LCD e PDP, illuminazione, server, telecomunicazioni e UPS.
- Robustezza maggiore del rapporto dv/dt del MOSFET
- Perdite estremamente basse, grazie alla bassa cifra di merito (FOM) Rdson*Qg ed Eoss
- Commutazione molto robusta
- Facile da usare/pilotare
- Composto stampato privo di alogeni
- Qualificato per le applicazioni di grado industriale a norma di JEDEC (J-STD20 e JESD22)
Avvertenze
La domanda di mercato per questo prodotto ha causato un'estensione dei tempi di consegna. Le date di consegna potrebbero variare. Prodotto esente da sconti.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
77.5A
Stile di Case del Transistor
TO-247
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
481W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
600V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.041ohm
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
CoolMOS P6
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (2)
Alternative per IPW60R041P6FKSA1
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Prodotti associati
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Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00542
Tracciabilità del prodotto