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IPW60R017C7XKSA1
MOSFET di potenza, canale N, 600 V, 109 A, 0.017 ohm, TO-247, foro passante (THT)
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPW60R017C7XKSA1
Codice Prodotto2839474
Gamma ProdottiCoolMOS C7
Anche noto comeIPW60R017C7, SP001313542
Datasheet tecnico
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPW60R017C7XKSA1
Codice Prodotto2839474
Gamma ProdottiCoolMOS C7
Anche noto comeIPW60R017C7, SP001313542
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds600V
Corrente Continua di Drain Id109A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.017ohm
Stile di Case del TransistorTO-247
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3.5V
Dissipazione di potenza446W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiCoolMOS C7
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
Transistore di potenza C7 CoolMOS™ da 600V, una tecnologia rivoluzionaria per i MOSFET di potenza ad alta tensione. Pensato sulla base del principio della supergiunzione (SJ), è adatto per l'uso negli stadi di correzione del fattore di potenza (PFC) e modulazione di larghezza di impulso (PWM) (TTF, LLC) per gli alimentatori SMPS ad alta potenza/performance, per es. computing, server, telecomunicazioni, gruppi UPS ed energia solare.
- Adatto per commutazione soft e hard (PFC ed LLC ad alte prestazioni)
- Resistenza al rapporto di variazione della tensione nel tempo (dv/dt) del MOSFET a 120V/ns
- Efficienza maggiore grazie alla cifra di merito di RDS(on) *Eoss ed RDS(on)*Qg
- RDS(on)/package migliore della sua classe
- Qualificato per le applicazioni di grado industriale a norma di JEDEC (J-STD20 e JESD22)
- Economie di scala maggiori tramite l'uso nelle topologie PFC e PWM nell'applicazione
- Il limite di dv/dt superiore permette una commutazione più rapida, che porta a un'efficienza più elevata
- Permette un'efficienza maggiore del sistema tramite perdite di commutazione inferiori
- Soluzioni con densità di potenza aumentata grazie ai package più piccoli
- Frequenze di commutazione più alta possibili senza perdita di efficienza grazie alla bassa Eoss e Qg
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
109A
Stile di Case del Transistor
TO-247
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
446W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
600V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.017ohm
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3.5V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
CoolMOS C7
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (1)
Alternative per IPW60R017C7XKSA1
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Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0001