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IPT60R024CM8XTMA1
MOSFET di potenza, canale N, 600 V, 103 A, 0.024 ohm, HSOF, montaggio superficiale (SMT)
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| Quantità | |
|---|---|
| 10+ | € 6,190 |
| 50+ | € 5,690 |
| 100+ | € 5,330 |
| 250+ | € 5,220 |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPT60R024CM8XTMA1
Codice Prodotto4680804RL
Datasheet tecnico
Tensione Drain Source Vds600V
Corrente Continua di Drain Id103A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.024ohm
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4.7V
Dissipazione di potenza543W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Specifiche tecniche
Tensione Drain Source Vds
600V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.024ohm
Tensione di soglia Gate-Source massima
4.7V
Numero di pin
8Pin
Corrente Continua di Drain Id
103A
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
543W
Temperatura di esercizio max
150°C
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:In attesa di conferma
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00001
Tracciabilità del prodotto