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IPT059N15N3ATMA1
MOSFET di potenza, canale N, 150 V, 155 A, 0.005 ohm, HSOF, montaggio superficiale (SMT)
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPT059N15N3ATMA1
Codice Prodotto2480870
Gamma ProdottiOptiMOS 3 Series
Anche noto comeIPT059N15N3, SP001100162
Datasheet tecnico
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPT059N15N3ATMA1
Codice Prodotto2480870
Gamma ProdottiOptiMOS 3 Series
Anche noto comeIPT059N15N3, SP001100162
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds150V
Corrente Continua di Drain Id155A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.005ohm
Stile di Case del TransistorHSOF
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3V
Dissipazione di potenza375W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiOptiMOS 3 Series
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
L'IPT059N15N3ATMA1 è un MOSFET di potenza a canale N OptiMOS™ 3. Le applicazioni potenziali sono: muletti, veicoli elettrici leggeri (LEV) come e-scooter, e-bike o µ-car, Point-of-load (POL), telecomunicazioni e efuse.
- Livello normale, carica gate eccellente xRDS(on) (FOM)
- Resistenza RDS (on) molto bassa, temperatura di esercizio 175°C, package PG-HSOF-8
- Qualificato in conformità a JEDEC per le applicazioni target
- Ideale per commutazione ad alta frequenza e raddrizzamento sincrono
- Privo di alogeni a norma di IEC61249-2-21
- Richiede messa in parallelo e raffreddamento inferiori, altissima affidabilità del sistema
- Riduzione dei costi di sistema, permette un design molto compatto
- Resistenza di conduzione drain-source: 5,9ohm a VGS = 10V, ID = 150A
- Corrente diretta continua diodo: 155A a TC=25°C
- Tensione di rottura drain-source: 150V a VGS=0V, ID= 1mA
Avvertenze
La forte domanda di mercato ha causato un'estensione dei tempi di spedizione. Le date di consegna potrebbero variare. Articolo esente da sconti.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
155A
Stile di Case del Transistor
HSOF
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
375W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
150V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.005ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3V
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
OptiMOS 3 Series
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0007