Stampa pagina
IPT015N10N5ATMA1
MOSFET di potenza, canale N, 100 V, 300 A, 0.0015 ohm, HSOF, montaggio superficiale (SMT)
4 978 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 100+ | € 3,880 |
| 500+ | € 3,290 |
| 1000+ | € 3,190 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 100
Più: 1
€ 393,00 (IVA esc)
Per questo prodotto verranno addebitati € 5,00 per il re-reeling
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPT015N10N5ATMA1
Codice Prodotto2725874RL
Gamma ProdottiOptiMOS 5
Anche noto comeIPT015N10N5, SP001227040
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds100V
Corrente Continua di Drain Id300A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0015ohm
Stile di Case del TransistorHSOF
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3V
Dissipazione di potenza375W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiOptiMOS 5
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
- Transistore di potenza OptiMOS™ 5 a 100V
- Ideale per raddrizzatore sincrono e la commutazione ad alta frequenza
- Cifra di merito (FOM) di carica di gate x RDS(on) eccellente
- Bassissima resistenza in conduzione Rds(on)
- Canale N, livello normale
- 100% testato per valanga
- Qualificato in conformità a JEDEC per le applicazioni target
- Privo di alogeni a norma di IEC61249-2-21
Avvertenze
La domanda di mercato per questo prodotto ha causato un'estensione dei tempi di consegna. Le date di consegna potrebbero variare. Prodotto esente da sconti.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
300A
Stile di Case del Transistor
HSOF
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
375W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
100V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0015ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3V
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
OptiMOS 5
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (3)
Alternative per IPT015N10N5ATMA1
2 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001055
Tracciabilità del prodotto