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IPP60R125CPXKSA1
MOSFET di potenza, canale N, 650 V, 25 A, 0.125 ohm, TO-220, foro passante (THT)
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPP60R125CPXKSA1
Codice Prodotto1664061
Anche noto comeIPP60R125CP, SP000088488
Datasheet tecnico
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPP60R125CPXKSA1
Codice Prodotto1664061
Anche noto comeIPP60R125CP, SP000088488
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds650V
Corrente Continua di Drain Id25A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.125ohm
Stile di Case del TransistorTO-220
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3V
Dissipazione di potenza208W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
The IPP60R125CP is a 650V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate charge. It is designed for hard switching topologies, server and telecom applications.
- Low figure-of-merit(FOM) RON x Qg
- Extreme dV/dt rated
- High peak current capability
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Very fast switching
- High current capability
- Significant reduction of conduction and switching losses
- High power density and efficiency for superior power conversion systems
- Best-in-class performance ratio
Avvertenze
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Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
25A
Stile di Case del Transistor
TO-220
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
208W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
650V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.125ohm
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (1)
Alternative per IPP60R125CPXKSA1
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00195
Tracciabilità del prodotto