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IPP60R099CPXKSA1

Name: INFINEON IPP60R099CPXKSA1
Brand: INFINEON
SKU: 1664059
Availability: InStock

MOSFET di potenza, canale N, 650 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-220, foro passante (THT)

Date/Lot Code

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ProduttoreINFINEON

Cod. produttoreIPP60R099CPXKSA1

Codice Prodotto1664059

Anche noto comeIPP60R099CP, SP000057021

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Informazioni sui prodotti

ProduttoreINFINEON

Cod. produttoreIPP60R099CPXKSA1

Codice Prodotto1664059

Anche noto comeIPP60R099CP, SP000057021

Datasheet tecnico

Data Sheet

Tipo di canalecanale N

Tensione Drain Source Vds650V

Corrente Continua di Drain Id31A

Resistenza Drain-Source in conduzione0.099ohm

Stile di Case del TransistorTO-220

Montaggio Transistoreforo passante (THT)

Tensione di test di Rds(on)10V

Tensione di soglia Gate-Source massima3V

Dissipazione di potenza255W

Numero di pin3Pin

Temperatura di esercizio max150°C

Gamma di prodotti-

Qualificazioni-

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-

Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)

Panoramica del prodotto

The IPP60R099CP is a 650V N-channel CoolMOS™ Power MOSFET designed for hard and soft switching topologies, CCM PFC as well as PWM for ATX, notebook adapter PDP and LCD TV. The CoolMOS™ MOSFET offers a significant reduction of conduction, switching and driving losses and enable high power density and efficiency for superior power conversion systems. The latest state-of-the-art generation of high voltage power MOSFETs makes AC-DC power supplies more efficient, more compact, lighter and cooler than ever before.

Lowest Figure of Merit R on x Qg
Ultra low gate charge
Extreme dv/dt rated
Very fast switching
High current capability
Significant reduction of conduction and switching losses
High power density and efficiency for superior power conversion systems
Best-in-class performance ratio

Avvertenze

Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.

Specifiche tecniche

Tipo di canale

canale N

Corrente Continua di Drain Id

31A

Stile di Case del Transistor

TO-220

Tensione di test di Rds(on)

10V

Dissipazione di potenza

255W

Temperatura di esercizio max

150°C

Qualificazioni

Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)

No SVHC (21-Jan-2025)

Tensione Drain Source Vds

650V

Resistenza Drain-Source in conduzione

0.099ohm

Montaggio Transistore

foro passante (THT)

Tensione di soglia Gate-Source massima

Numero di pin

3Pin

Gamma di prodotti

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

Documenti tecnici (1)

Technical Data Sheet EN

Prodotti associati

1 prodotto trovato

Legislazione e ambiente

Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo

Tariffa n.:85412900

US ECCN:EAR99

EU ECCN:NLR

Conforme alla direttiva RoHS:Sì

RoHS

Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì

RoHS

Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)

Scarica il certificato di conformità del prodotto

Certificato di conformità del prodotto

Peso (kg):.00195

Tracciabilità del prodotto