IPP110N20N3GXKSA1
MOSFET di potenza, canale N, 200 V, 88 A, 0.011 ohm, TO-220, foro passante (THT)
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| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 4,180 |
| 10+ | € 3,320 |
| 100+ | € 2,710 |
| 500+ | € 2,300 |
| 1000+ | € 1,840 |
Informazioni sui prodotti
Panoramica del prodotto
The IPP110N20N3 G is a 200V N-channel Power MOSFET ideally suited for high-frequency switching, achieving excellent performance in applications such as synchronous rectification for AC-DC SMPS and motor control. The OptiMOS™ MOSFET is optimized for hard commutation ruggedness, achieving low Qrr and lower peak reverse recovery charges. It is performance leading benchmark technologies, perfectly suited for synchronous rectification in 48V systems, DC-DC converters, uninterruptable power supplies (UPS) and inverters for DC motor drives.
- Highest efficiency
- Highest power density
- Lowest board space consumption
- Minimal device paralleling required
- System cost improvement
- Environmentally-friendly
- Easy to design in
Avvertenze
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specifiche tecniche
canale N
88A
TO-220
10V
300W
175°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
200V
0.011ohm
foro passante (THT)
3V
3Pin
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Documenti tecnici (2)
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Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
RoHS
RoHS
Certificato di conformità del prodotto