Stampa pagina
IPN80R750P7ATMA1
MOSFET di potenza, canale N, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, SOT-223, montaggio superficiale (SMT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPN80R750P7ATMA1
Codice Prodotto3227648RL
Gamma ProdottiCoolMOS P7
Anche noto comeIPN80R750P7, SP001665002
Datasheet tecnico
965 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 100+ | € 0,707 |
| 500+ | € 0,613 |
| 1000+ | € 0,510 |
| 5000+ | € 0,481 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 100
Più: 1
€ 75,70 (IVA esc)
Per questo prodotto verranno addebitati € 5,00 per il re-reeling
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPN80R750P7ATMA1
Codice Prodotto3227648RL
Gamma ProdottiCoolMOS P7
Anche noto comeIPN80R750P7, SP001665002
Datasheet tecnico
Polarità Transistorcanale N
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds800V
Corrente Continua di Drain Id7A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.64ohm
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.64ohm
Stile di Case del TransistorSOT-223
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3V
Dissipazione di Potenza Pd7.2W
Dissipazione di potenza7.2W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiCoolMOS P7
Qualificazioni-
Standard di Qualifica Automotive-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
Avvertenze
La forte domanda di mercato ha causato un'estensione dei tempi di spedizione. Le date di consegna potrebbero variare. Articolo esente da sconti.
Specifiche tecniche
Polarità Transistor
canale N
Tensione Drain Source Vds
800V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.64ohm
Stile di Case del Transistor
SOT-223
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di Potenza Pd
7.2W
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
CoolMOS P7
Standard di Qualifica Automotive
-
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
7A
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.64ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3V
Dissipazione di potenza
7.2W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000243
Tracciabilità del prodotto