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IPN50R650CEATMA1
MOSFET di potenza, canale N, 500 V, 9 A, 0.65 ohm, SOT-223, montaggio superficiale (SMT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPN50R650CEATMA1
Codice Prodotto2617447
Gamma ProdottiCoolMOS CE
Anche noto comeIPN50R650CE, SP001434880
Datasheet tecnico
Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPN50R650CEATMA1
Codice Prodotto2617447
Gamma ProdottiCoolMOS CE
Anche noto comeIPN50R650CE, SP001434880
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds500V
Corrente Continua di Drain Id9A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.65ohm
Stile di Case del TransistorSOT-223
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)13V
Tensione di soglia Gate-Source massima3V
Dissipazione di potenza5W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiCoolMOS CE
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Panoramica del prodotto
Transistore di potenza CE CoolMOS™ da 500V, una tecnologia rivoluzionaria per i MOSFET di potenza ad alta tensione. Pensato sulla base del principio della supergiunzione (SJ), è adatto per adattatori, caricatori e illuminazione.
- Perdite estremamente basse, grazie alla bassa cifra di merito (FOM) Rdson*Qg ed Eoss
- Commutazione molto robusta
- Facile da usare/pilotare
- Composto stampato privo di alogeni
- Qualificato per le applicazioni di grado standard
Avvertenze
La domanda di mercato per questo prodotto ha causato un'estensione dei tempi di consegna. Le date di consegna potrebbero variare. Prodotto esente da sconti.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
9A
Stile di Case del Transistor
SOT-223
Tensione di test di Rds(on)
13V
Dissipazione di potenza
5W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Tensione Drain Source Vds
500V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.65ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
CoolMOS CE
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Prodotti associati
3 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000166