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IPLU300N04S4R8XTMA1
MOSFET di potenza, canale N, 40 V, 300 A, 770 µohm, H-PSOF-8-1, montaggio superficiale (SMT)
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPLU300N04S4R8XTMA1
Codice Prodotto2725859
Gamma ProdottiOptiMOS T2
Anche noto comeIPLU300N04S4-R8, SP001063102
Datasheet tecnico
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPLU300N04S4R8XTMA1
Codice Prodotto2725859
Gamma ProdottiOptiMOS T2
Anche noto comeIPLU300N04S4-R8, SP001063102
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds40V
Corrente Continua di Drain Id300A
Resistenza Drain-Source in conduzione770µohm
Stile di Case del TransistorH-PSOF-8-1
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3V
Dissipazione di potenza429W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiOptiMOS T2
QualificazioniAEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
- OptiMOS™-T2 power-transistor
- N-channel enhancement mode
- AEC qualified
- 175°C operating temperature
- Ultra-low Rds(on)
- 100% avalanche tested
Avvertenze
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
300A
Stile di Case del Transistor
H-PSOF-8-1
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
429W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
40V
Resistenza Drain-Source in conduzione
770µohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3V
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
OptiMOS T2
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
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Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.002
Tracciabilità del prodotto