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IPL65R070C7AUMA1
MOSFET di potenza, canale N, 650 V, 28 A, 0.07 ohm, VSON, montaggio superficiale (SMT)
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPL65R070C7AUMA1
Codice Prodotto2726062RL
Gamma ProdottiCoolMOS C7
Anche noto comeIPL65R070C7, SP001032720
Datasheet tecnico
852 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPL65R070C7AUMA1
Codice Prodotto2726062RL
Gamma ProdottiCoolMOS C7
Anche noto comeIPL65R070C7, SP001032720
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds650V
Corrente Continua di Drain Id28A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.07ohm
Stile di Case del TransistorVSON
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3.5V
Dissipazione di potenza169W
Numero di pin5Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiCoolMOS C7
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 3 - 168 ore
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
Transistore di potenza C7 CoolMOS™ da 650V, una tecnologia rivoluzionaria per i MOSFET di potenza ad alta tensione. Pensato sulla base del principio della supergiunzione (SJ), è adatto per l'uso negli stadi di correzione del fattore di potenza (PFC) e modulazione di larghezza di impulso (PWM) (TTF, LLC) per gli alimentatori SMPS ad alta potenza/performance, per es. computing, server, telecomunicazioni, gruppi UPS ed energia solare.
- Robustezza maggiore del rapporto dv/dt del MOSFET
- Efficienza maggiore grazie alla cifra di merito di RDS(on) *Eoss ed RDS(on)*Qg migliore della sua classe
- Package SMD PAK sottile con induttanza parassitica molto ridotta per permettere una commutazione rapida e affidabile
- Facile da usare/pilotare grazie al pin Driver Source per il controllo migliore del gate
- Qualificato per le applicazioni di grado industriale a norma di JEDEC (J-STD20 e JESD22)
- Permette un'efficienza maggiore del sistema tramite perdite di commutazione inferiori
- Permette soluzioni di densità di potenza maggiori/frequenza più elevata
- Risparmi di costo/dimensioni del sistema grazie ai requisiti di raffreddamento ridotti
- Affidabilità di sistema più elevata grazie alle temperature di esercizio inferiori
Avvertenze
La domanda di mercato per questo prodotto ha causato un'estensione dei tempi di consegna. Le date di consegna potrebbero variare. Prodotto esente da sconti.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
28A
Stile di Case del Transistor
VSON
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
169W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
650V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.07ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3.5V
Numero di pin
5Pin
Gamma di prodotti
CoolMOS C7
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 3 - 168 ore
Documenti tecnici (1)
Prodotti associati
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.004196