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IPL60R125C7AUMA1
MOSFET di potenza, canale N, 600 V, 17 A, 0.125 ohm, VSON, montaggio superficiale (SMT)
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPL60R125C7AUMA1
Codice Prodotto2983364
Gamma ProdottiCoolMOS C7
Anche noto comeIPL60R125C7, SP001385066
Datasheet tecnico
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPL60R125C7AUMA1
Codice Prodotto2983364
Gamma ProdottiCoolMOS C7
Anche noto comeIPL60R125C7, SP001385066
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds600V
Corrente Continua di Drain Id17A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.125ohm
Stile di Case del TransistorVSON
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di potenza103W
Numero di pin4Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiCoolMOS C7
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
IPL60R125C7AUMA1 is a 600V CoolMOS™ C7 power transistor. It is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction(SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. It combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. Potential applications includes PFC stages and PWM stages (TTF,LLC) for high power/performance SMPS example computing, server, telecom, UPS and solar.
- Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance LLC)
- Increased MOSFET dv/dt ruggedness to 120V/ns
- Qualified for industrial grade applications according to JEDEC(J-STD20 and JESD22)
- 4pin kelvin source concept
- Increased economies of scale by use in PFC and PWM topologies in the application
- Higher dv/dt limit enables faster switching leading to higher efficiency
- Enabling higher system efficiency by lower switching glosses
- Optimized PCB assembly and layout solutions
- Suitable for applications such as server, telecom and solar
- PG-VSON-4 package, operating junction temperature range from -40 to 150°C
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
17A
Stile di Case del Transistor
VSON
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
103W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
600V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.125ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Numero di pin
4Pin
Gamma di prodotti
CoolMOS C7
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001
Tracciabilità del prodotto