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IPL60R065P7AUMA1
MOSFET di potenza, canale N, 600 V, 41 A, 0.065 ohm, VSON, montaggio superficiale (SMT)
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPL60R065P7AUMA1
Codice Prodotto2841636RL
Gamma ProdottiCoolMOS P7
Anche noto comeIPL60R065P7, SP001657396
Datasheet tecnico
Disponibile per l'ordine
Tempo di approvvigionamento standard del produttore: 19 settimana/e
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| Quantità | |
|---|---|
| 10+ | € 4,000 |
| 100+ | € 3,140 |
| 500+ | € 3,090 |
| 1000+ | € 2,880 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 10
Più: 1
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPL60R065P7AUMA1
Codice Prodotto2841636RL
Gamma ProdottiCoolMOS P7
Anche noto comeIPL60R065P7, SP001657396
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds600V
Corrente Continua di Drain Id41A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.065ohm
Stile di Case del TransistorVSON
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3.5V
Dissipazione di potenza201W
Numero di pin4Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiCoolMOS P7
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
Transistore di potenza P7 CoolMOS™ da 600V, una tecnologia rivoluzionaria per i MOSFET di potenza ad alta tensione. Pensato sulla base del principio della supergiunzione (SJ), è adatto per l'uso negli stadi di correzione del fattore di potenza e negli stadi di commutazione risonante per, per esempio, PC silverbox, adattatori, TV LCD e PDP, illuminazione, server, telecomunicazioni e UPS.
- Adatto per la commutazione hard e soft grazie alla robustezza eccezionale
- Riduzione significativa delle perdite di conduzione e commutazione
- Resistenza eccellente alle ESD di <gt/>2KV (HBM) per tutti i prodotti
- RDS(on)/package migliore della sua classe
- Facilità d'uso e progettazione interna rapida attraverso la bassa tendenza al riverbero e l'utilizzo attraverso le fasi di PFC e PWM
- Gestione del calore semplificata grazie alle perdite di conduzione e commutazione
- Soluzioni di densità di potenza maggiore
- Adatto per un'ampia varietà di applicazioni e range di potenza
Avvertenze
La domanda di mercato per questo prodotto ha causato un'estensione dei tempi di consegna. Le date di consegna potrebbero variare. Prodotto esente da sconti.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
41A
Stile di Case del Transistor
VSON
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
201W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
600V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.065ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3.5V
Numero di pin
4Pin
Gamma di prodotti
CoolMOS P7
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000285
Tracciabilità del prodotto