Stampa pagina
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPG20N04S409ATMA1
Codice Prodotto2839467RL
Gamma ProdottiOptiMOS T2
Anche noto comeIPG20N04S4-09, SP000705570
Datasheet tecnico
4 990 A Stock
Ti serve altro?
Consegna EXPRESS in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00
Consegna standard GRATUITA
per gli ordini di importo pari e superiore a € 0,00
I tempi di consegna precisi saranno calcolati al momento del pagamento
A disposizione fino ad esaurimento scorte
Quantità | |
---|---|
100+ | € 0,807 |
500+ | € 0,615 |
1000+ | € 0,546 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 100
Più: 1
€ 85,70 (IVA esc)
Per questo prodotto verranno addebitati € 5,00 per il re-reeling
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPG20N04S409ATMA1
Codice Prodotto2839467RL
Gamma ProdottiOptiMOS T2
Anche noto comeIPG20N04S4-09, SP000705570
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds40V
Corrente Continua di Drain Id20A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0079ohm
Stile di Case del TransistorTDSON
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3V
Dissipazione di potenza54W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiOptiMOS T2
QualificazioniAEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Alternative per IPG20N04S409ATMA1
1 prodotto trovato
Panoramica del prodotto
Avvertenze
La domanda del mercato per questo prodotto ha causato un'estensione dei tempi di consegna, le date di consegna possono variare.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
20A
Stile di Case del Transistor
TDSON
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
54W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Tensione Drain Source Vds
40V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0079ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3V
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
OptiMOS T2
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0001
Tracciabilità del prodotto