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IPD95R450PFD7ATMA1
MOSFET di potenza, canale N, 950 V, 13.3 A, 0.35 ohm, TO-252 (DPAK), foro passante (THT)
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPD95R450PFD7ATMA1
Codice Prodotto4125837
Gamma ProdottiCoolMOS PFD7 Series
Anche noto comeSP005547015, IPD95R450PFD7
Datasheet tecnico
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPD95R450PFD7ATMA1
Codice Prodotto4125837
Gamma ProdottiCoolMOS PFD7 Series
Anche noto comeSP005547015, IPD95R450PFD7
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds950V
Corrente Continua di Drain Id13.3A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.35ohm
Stile di Case del TransistorTO-252 (DPAK)
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3.5V
Dissipazione di potenza104W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiCoolMOS PFD7 Series
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
13.3A
Stile di Case del Transistor
TO-252 (DPAK)
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
104W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
950V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.35ohm
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3.5V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
CoolMOS PFD7 Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:In attesa di conferma
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:In attesa di conferma
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto