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IPD90N03S4L02ATMA1
MOSFET di potenza, canale N, 30 V, 90 A, 0.0022 ohm, TO-252 (DPAK), montaggio superficiale (SMT)
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPD90N03S4L02ATMA1
Codice Prodotto2443401RL
Anche noto comeIPD90N03S4L-02, SP000273284
Datasheet tecnico
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPD90N03S4L02ATMA1
Codice Prodotto2443401RL
Anche noto comeIPD90N03S4L-02, SP000273284
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds30V
Corrente Continua di Drain Id90A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0022ohm
Stile di Case del TransistorTO-252 (DPAK)
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima1.5V
Dissipazione di potenza136W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
QualificazioniAEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
L’IPD90N03S4L-02 è un MOSFET ad arricchimento a canale N con basse perdite durante la commutazione e la conduzione dell’energia, per la massima efficienza termica.
- Qualificato AEC-Q101
- Riflusso di picco MSL1 fino a 260°C
- Dispositivo green
- Testato in modalità a valanga al 100%
- La carica di gate totale ottimizzata permette stadi di output del driver più piccoli
- RDS (ON) ultra bassa
Avvertenze
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Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
90A
Stile di Case del Transistor
TO-252 (DPAK)
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
136W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
30V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0022ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
1.5V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (3)
Alternative per IPD90N03S4L02ATMA1
3 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0003