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IPD80R280P7ATMA1
MOSFET di potenza, canale N, 800 V, 17 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), montaggio superficiale (SMT)
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPD80R280P7ATMA1
Codice Prodotto2750415
Gamma ProdottiCoolMOS P7
Anche noto comeIPD80R280P7, SP001422596
Datasheet tecnico
7 171 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPD80R280P7ATMA1
Codice Prodotto2750415
Gamma ProdottiCoolMOS P7
Anche noto comeIPD80R280P7, SP001422596
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds800V
Corrente Continua di Drain Id17A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.28ohm
Stile di Case del TransistorTO-252 (DPAK)
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3V
Dissipazione di potenza101W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiCoolMOS P7
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
Transistore di potenza CoolMOS™ P7 da 800V. Raccomandato per le topologie flyback con hard e soft switching per illuminazione LED, adattatori e caricatori a bassa potenza, audio, potenza AUX e potenza industriale. Adatto anche per lo stadio di correzione del fattore di potenza (PFC) nelle applicazioni di consumo e solari.
- Cifra di merito (FOM) RDS(on)*Eoss migliore della sua classe; carica di gate (Qg), capacità di input (Ciss) e output (Coss) ridotte
- RDS(on) DPAK migliore della sua classe
- V(GS)th di 3V migliore della sua classe e variazione di V(GS)th minore di tutte di ±0,5V
- Protezione integrata dalle scariche ESD del diodo zener
- Qualità e affidabilità CoolMOS™ top di gamma
- Qualificato per le applicazioni di grado industriale a norma di JEDEC (J-STD20 e JESD22)
- Portfolio completamente ottimizzato
- Prestazioni migliori della sua classe, facile da pilotare e mettere in parallelo
- Produzione migliore tramite la riduzione delle avarie provocate dalle scariche ESD
- Meno problemi di produzione e ritorni di campo ridotti
Avvertenze
La domanda di mercato per questo prodotto ha causato un'estensione dei tempi di consegna. Le date di consegna potrebbero variare. Prodotto esente da sconti.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
17A
Stile di Case del Transistor
TO-252 (DPAK)
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
101W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
800V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.28ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
CoolMOS P7
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000426
Tracciabilità del prodotto