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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPD60R750E6ATMA1
Codice Prodotto2764859
Gamma ProdottiCoolMOS E6
Anche noto comeIPD60R750E6, SP001117728
Datasheet tecnico
Opzioni di imballaggio
Fuori produzione
Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPD60R750E6ATMA1
Codice Prodotto2764859
Gamma ProdottiCoolMOS E6
Anche noto comeIPD60R750E6, SP001117728
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds600V
Corrente Continua di Drain Id5.7A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.68ohm
Stile di Case del TransistorTO-252 (DPAK)
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3V
Dissipazione di potenza48W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiCoolMOS E6
Qualificazioni-
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
5.7A
Stile di Case del Transistor
TO-252 (DPAK)
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
48W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
600V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.68ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
CoolMOS E6
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000426