Stampa pagina
IPD60R3K3C6ATMA1
MOSFET di potenza, canale N, 600 V, 1.7 A, 3.3 ohm, TO-252 (DPAK), montaggio superficiale (SMT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPD60R3K3C6ATMA1
Codice Prodotto2726052RL
Gamma ProdottiCoolMOS C6
Anche noto comeIPD60R3K3C6, SP001117718
Datasheet tecnico
4 431 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 100+ | € 0,337 |
| 500+ | € 0,298 |
| 1000+ | € 0,259 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 100
Più: 1
€ 38,70 (IVA esc)
Per questo prodotto verranno addebitati € 5,00 per il re-reeling
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPD60R3K3C6ATMA1
Codice Prodotto2726052RL
Gamma ProdottiCoolMOS C6
Anche noto comeIPD60R3K3C6, SP001117718
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds600V
Corrente Continua di Drain Id1.7A
Resistenza Drain-Source in conduzione3.3ohm
Stile di Case del TransistorTO-252 (DPAK)
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3V
Dissipazione di potenza18.1W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiCoolMOS C6
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
- Transistore di potenza C6 CoolMOS™ da 600V, 1.7A in un package TO-252 a 3 pin
- Perdite estremamente basse grazie alla cifra di merito (FOM) RDS(on)* Qi ed Eoss molto ridotta
- Il controllo facile del comportamento di commutazione migliora la densità di potenza
- Commutazione molto robusta
- Facile da usare, efficienza migliore del carico luminoso
- Efficienza di carico luminoso migliore rispetto al C3
- Affidabilità eccezionale con la qualità collaudata di CoolMOS™ combinata con l'alta robustezza del diodo body
- Più efficiente, più compatto, più leggero e raffreddato
- Prestazioni a costo migliore rispetto alle generazioni CoolMOS™ precedenti
- Riduce il riverbero possibile dovuto al layout del PCB e agli effetti parassitici del package
Avvertenze
La domanda di mercato per questo prodotto ha causato un'estensione dei tempi di consegna. Le date di consegna potrebbero variare. Prodotto esente da sconti.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
1.7A
Stile di Case del Transistor
TO-252 (DPAK)
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
18.1W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
600V
Resistenza Drain-Source in conduzione
3.3ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
CoolMOS C6
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (1)
Alternative per IPD60R3K3C6ATMA1
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00068
Tracciabilità del prodotto