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IPD60R2K0C6ATMA1
MOSFET di potenza, canale N, 600 V, 2.4 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), montaggio superficiale (SMT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPD60R2K0C6ATMA1
Codice Prodotto2839462
Gamma ProdottiCoolMOS C6
Anche noto comeIPD60R2K0C6, SP001117714
Datasheet tecnico
Disponibile per l'ordine
Tempo di approvvigionamento standard del produttore: 17 settimana/e
Avvisami non appena disponibile
| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 0,855 |
| 10+ | € 0,559 |
| 100+ | € 0,411 |
| 500+ | € 0,343 |
| 1000+ | € 0,306 |
| 5000+ | € 0,236 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 1
Più: 1
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPD60R2K0C6ATMA1
Codice Prodotto2839462
Gamma ProdottiCoolMOS C6
Anche noto comeIPD60R2K0C6, SP001117714
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds600V
Corrente Continua di Drain Id2.4A
Resistenza Drain-Source in conduzione1.8ohm
Stile di Case del TransistorTO-252 (DPAK)
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3V
Dissipazione di potenza22.3W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiCoolMOS C6
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
2.4A
Stile di Case del Transistor
TO-252 (DPAK)
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
22.3W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
600V
Resistenza Drain-Source in conduzione
1.8ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
CoolMOS C6
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (1)
Alternative per IPD60R2K0C6ATMA1
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0001
Tracciabilità del prodotto