Stampa pagina
IPD60R1K0PFD7SAUMA1
MOSFET di potenza, canale N, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), montaggio superficiale (SMT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPD60R1K0PFD7SAUMA1
Codice Prodotto3577355RL
Gamma ProdottiCoolMOS PFD7 SJ
Anche noto comeIPD60R1K0PFD7S, SP005353999
Datasheet tecnico
1 067 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 100+ | € 0,415 |
| 500+ | € 0,347 |
| 1000+ | € 0,295 |
| 5000+ | € 0,248 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 100
Più: 1
€ 46,50 (IVA esc)
Per questo prodotto verranno addebitati € 5,00 per il re-reeling
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPD60R1K0PFD7SAUMA1
Codice Prodotto3577355RL
Gamma ProdottiCoolMOS PFD7 SJ
Anche noto comeIPD60R1K0PFD7S, SP005353999
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Polarità Transistorcanale N
Tensione Drain Source Vds600V
Corrente Continua di Drain Id4.7A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.84ohm
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.84ohm
Stile di Case del TransistorTO-252 (DPAK)
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di Potenza Pd26W
Dissipazione di potenza26W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiCoolMOS PFD7 SJ
Qualificazioni-
Standard di Qualifica Automotive-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 3 - 168 ore
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
Avvertenze
La forte domanda di mercato ha causato un'estensione dei tempi di spedizione. Le date di consegna potrebbero variare. Articolo esente da sconti.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
600V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.84ohm
Stile di Case del Transistor
TO-252 (DPAK)
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di Potenza Pd
26W
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
CoolMOS PFD7 SJ
Standard di Qualifica Automotive
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Polarità Transistor
canale N
Corrente Continua di Drain Id
4.7A
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.84ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Dissipazione di potenza
26W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 3 - 168 ore
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001
Tracciabilità del prodotto