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IPD600N25N3GATMA1

Name: INFINEON IPD600N25N3GATMA1
Brand: INFINEON
SKU: 2212828
Availability: InStock

MOSFET di potenza, canale N, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), montaggio superficiale (SMT)

Date/Lot Code

L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.

ProduttoreINFINEON

Cod. produttoreIPD600N25N3GATMA1

Codice Prodotto2212828

Anche noto comeIPD600N25N3 G, SP001127834

Datasheet tecnico

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Informazioni sui prodotti

ProduttoreINFINEON

Cod. produttoreIPD600N25N3GATMA1

Codice Prodotto2212828

Anche noto comeIPD600N25N3 G, SP001127834

Datasheet tecnico

Data Sheet

Tipo di canalecanale N

Tensione Drain Source Vds250V

Corrente Continua di Drain Id25A

Resistenza Drain-Source in conduzione0.06ohm

Stile di Case del TransistorTO-252 (DPAK)

Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)

Tensione di test di Rds(on)10V

Tensione di soglia Gate-Source massima3V

Dissipazione di potenza136W

Numero di pin3Pin

Temperatura di esercizio max175°C

Gamma di prodotti-

Qualificazioni-

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata

Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)

Panoramica del prodotto

The IPD600N25N3 G is a 250V N-channel Power MOSFET ideally suited for high-frequency switching, achieving excellent performance in applications such as synchronous rectification for AC-DC SMPS and motor control. The OptiMOS™ MOSFET is optimized for hard commutation ruggedness, achieving low Qrr and lower peak reverse recovery charges. It is performance leading benchmark technologies, perfectly suited for synchronous rectification in 48V systems, DC-DC converters, uninterruptable power supplies (UPS) and inverters for DC motor drives.

Highest efficiency
Highest power density
Lowest board space consumption
Minimal device paralleling required
System cost improvement
Environmentally-friendly
Easy to design in

Avvertenze

Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.

Specifiche tecniche

Tipo di canale

canale N

Corrente Continua di Drain Id

25A

Stile di Case del Transistor

TO-252 (DPAK)

Tensione di test di Rds(on)

10V

Dissipazione di potenza

136W

Temperatura di esercizio max

175°C

Qualificazioni

Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)

No SVHC (21-Jan-2025)

Tensione Drain Source Vds

250V

Resistenza Drain-Source in conduzione

0.06ohm

Montaggio Transistore

montaggio superficiale (SMT)

Tensione di soglia Gate-Source massima

Numero di pin

3Pin

Gamma di prodotti

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

MSL 1 - Non Limitata

Documenti tecnici (3)

Application Note EN

Simulation Model EN

Technical Data Sheet EN

Prodotti associati

1 prodotto trovato

Legislazione e ambiente

Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo

Tariffa n.:85412900

US ECCN:EAR99

EU ECCN:NLR

Conforme alla direttiva RoHS:Sì

RoHS

Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì

RoHS

Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)

Scarica il certificato di conformità del prodotto

Certificato di conformità del prodotto

Peso (kg):.0003

Tracciabilità del prodotto