Stampa pagina
IPD50P04P4L11ATMA1
MOSFET di potenza, canale P, 40 V, 50 A, 0.0106 ohm, TO-252 (DPAK), montaggio superficiale (SMT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPD50P04P4L11ATMA1
Codice Prodotto2443434
Anche noto comeIPD50P04P4L-11, SP000671156
Datasheet tecnico
120 869 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
A disposizione fino ad esaurimento scorte
| Quantità | |
|---|---|
| 5+ | € 1,280 |
| 50+ | € 0,896 |
| 100+ | € 0,697 |
| 500+ | € 0,591 |
| 1000+ | € 0,481 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 5
Più: 5
€ 6,40 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPD50P04P4L11ATMA1
Codice Prodotto2443434
Anche noto comeIPD50P04P4L-11, SP000671156
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione Drain Source Vds40V
Corrente Continua di Drain Id50A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0106ohm
Stile di Case del TransistorTO-252 (DPAK)
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima1.7V
Dissipazione di potenza58W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
QualificazioniAEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Alternative per IPD50P04P4L11ATMA1
8 prodotti trovati
Panoramica del prodotto
The IPD50P04P4L-11 is a P-channel logic level enhancement-mode MOSFET with lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency.
- AEC-Q101 qualified
- MSL1 up to 260°C peak reflow
- Green device
- 100% Avalanche tested
- No charge pump required for high side drive
- Simple interface drive circuit
- World's lowest RDS (ON)
- Highest current capability
- Robust packages with superior quality and reliability
Avvertenze
La domanda del mercato per questo prodotto ha causato un'estensione dei tempi di consegna, le date di consegna possono variare.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Corrente Continua di Drain Id
50A
Stile di Case del Transistor
TO-252 (DPAK)
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
58W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Tensione Drain Source Vds
40V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0106ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
1.7V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (4)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0003
Tracciabilità del prodotto