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IPD50N06S4L08ATMA2
MOSFET di potenza, canale N, 60 V, 50 A, 0.0063 ohm, TO-252 (DPAK), montaggio superficiale (SMT)
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPD50N06S4L08ATMA2
Codice Prodotto3155112RL
Gamma ProdottiOptiMOS T2
Anche noto comeIPD50N06S4L-08, SP001028664
Datasheet tecnico
Disponibile per l'ordine
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| Quantità | |
|---|---|
| 2500+ | € 0,392 |
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Minimo: 2500
Più: 2500
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPD50N06S4L08ATMA2
Codice Prodotto3155112RL
Gamma ProdottiOptiMOS T2
Anche noto comeIPD50N06S4L-08, SP001028664
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Polarità Transistorcanale N
Tensione Drain Source Vds60V
Corrente Continua di Drain Id50A
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.0063ohm
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0063ohm
Stile di Case del TransistorTO-252 (DPAK)
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima1.7V
Dissipazione di Potenza Pd71W
Dissipazione di potenza71W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiOptiMOS T2
QualificazioniAEC-Q101
Standard di Qualifica AutomotiveAEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
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Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
60V
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.0063ohm
Stile di Case del Transistor
TO-252 (DPAK)
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di Potenza Pd
71W
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
OptiMOS T2
Standard di Qualifica Automotive
AEC-Q101
Polarità Transistor
canale N
Corrente Continua di Drain Id
50A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0063ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
1.7V
Dissipazione di potenza
71W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (1)
Alternative per IPD50N06S4L08ATMA2
4 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00143
Tracciabilità del prodotto