IPD320N20N3GATMA1
MOSFET di potenza, canale N, 200 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), montaggio superficiale (SMT)
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| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 2,620 |
| 10+ | € 1,980 |
| 100+ | € 1,510 |
| 500+ | € 1,340 |
| 1000+ | € 1,290 |
Informazioni sui prodotti
Panoramica del prodotto
IPD320N20N3 G è un MOSFET di potenza a canale N da 200V. È pensato idealmente per la commutazione ad alta frequenza, raggiungendo prestazioni eccellenti in applicazioni come il raddrizzamento sincrono per il controllo dei motori e degli SMPS AC-DC. Il MOSFET OptiMOS™ è ottimizzato per la robustezza di fronte alla commutazione dura, che permette di ottenere bassa Qrr e cariche di recupero inverse di picco inferiori. Tecnologie di riferimento con prestazioni leader, perfette per il raddrizzamento sincrono nei sistemi a 48V, convertitori DC-DC, gruppi di continuità (UPS) e inverter per i convertitori dei motori DC.
- Altissima efficienza
- Altissima densità di potenza
- Bassissimo consumo di spazio su scheda
- Messa in parallelo del dispositivo richiesta minima
- Miglioramento del costo del sistema
- Rispettoso dell'ambiente
- Facile da inserire in un design
Avvertenze
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Specifiche tecniche
canale N
34A
TO-252 (DPAK)
10V
136W
175°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
200V
0.032ohm
montaggio superficiale (SMT)
3V
3Pin
-
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
RoHS
RoHS
Certificato di conformità del prodotto