Stampa pagina
IPD30N06S2L23ATMA3
MOSFET di potenza, canale N, 55 V, 30 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), montaggio superficiale (SMT)
59 798 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 100+ | € 0,472 |
| 500+ | € 0,414 |
| 1000+ | € 0,399 |
| 5000+ | € 0,393 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 100
Più: 5
€ 52,20 (IVA esc)
Per questo prodotto verranno addebitati € 5,00 per il re-reeling
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPD30N06S2L23ATMA3
Codice Prodotto2709861RL
Gamma ProdottiOptiMOS
Anche noto comeIPD30N06S2L-23, SP001061286
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds55V
Corrente Continua di Drain Id30A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.023ohm
Stile di Case del TransistorTO-252 (DPAK)
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima1.6V
Dissipazione di potenza100W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiOptiMOS
QualificazioniAEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
- Transistore di potenza OptiMOS®
- Livello logico a canale N, modalità di arricchimento
- Qualificato AEC Q101 per uso in automotive
- Bassissima Rds (ON)
- 100% testato per valanga
Avvertenze
La domanda di mercato per questo prodotto ha causato un'estensione dei tempi di consegna. Le date di consegna potrebbero variare. Prodotto esente da sconti.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
30A
Stile di Case del Transistor
TO-252 (DPAK)
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
100W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
55V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.023ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
1.6V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
OptiMOS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (1)
Alternative per IPD30N06S2L23ATMA3
6 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0003