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IPD100N04S402ATMA1
MOSFET di potenza, canale N, 40 V, 100 A, 2000 µohm, TO-252 (DPAK), montaggio superficiale (SMT)
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPD100N04S402ATMA1
Codice Prodotto2480821
Anche noto comeIPD100N04S4-02, SP000646184
Datasheet tecnico
36 188 A Stock
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| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 1,840 |
| 10+ | € 1,210 |
| 100+ | € 0,902 |
| 500+ | € 0,689 |
| 1000+ | € 0,646 |
| 5000+ | € 0,557 |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPD100N04S402ATMA1
Codice Prodotto2480821
Anche noto comeIPD100N04S4-02, SP000646184
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds40V
Corrente Continua di Drain Id100A
Resistenza Drain-Source in conduzione2000µohm
Stile di Case del TransistorTO-252 (DPAK)
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3V
Dissipazione di potenza150W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
QualificazioniAEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
- Transistore di potenza Optima's® -T2
- Canale N, modalità ad arricchimento
- Qualificato AEC Q101 per uso in automotive
- 100% testato per valanga
Avvertenze
La domanda di mercato per questo prodotto ha causato un'estensione dei tempi di consegna. Le date di consegna potrebbero variare. Prodotto esente da sconti.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
100A
Stile di Case del Transistor
TO-252 (DPAK)
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
150W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
40V
Resistenza Drain-Source in conduzione
2000µohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (3)
Alternative per IPD100N04S402ATMA1
3 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00143
Tracciabilità del prodotto