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IPB65R150CFDATMA2
MOSFET di potenza, canale N, 650 V, 22.4 A, 0.135 ohm, TO-263 (D2PAK)
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPB65R150CFDATMA2
Codice Prodotto3106076RL
Gamma ProdottiCoolMOS CFD2
Anche noto comeIPB65R150CFD, SP001977036
Datasheet tecnico
63 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPB65R150CFDATMA2
Codice Prodotto3106076RL
Gamma ProdottiCoolMOS CFD2
Anche noto comeIPB65R150CFD, SP001977036
Datasheet tecnico
Polarità Transistorcanale N
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds650V
Corrente Continua di Drain Id22.4A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.135ohm
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.135ohm
Stile di Case del TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di potenza195.3W
Dissipazione di Potenza Pd195.3W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiCoolMOS CFD2
Qualificazioni-
Standard di Qualifica Automotive-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
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Specifiche tecniche
Polarità Transistor
canale N
Tensione Drain Source Vds
650V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.135ohm
Stile di Case del Transistor
TO-263 (D2PAK)
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
195.3W
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
CoolMOS CFD2
Standard di Qualifica Automotive
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
22.4A
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.135ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Dissipazione di Potenza Pd
195.3W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.002
Tracciabilità del prodotto