IPB025N10N3GATMA1
MOSFET di potenza, canale N, 100 V, 180 A, 2500 µohm, TO-263 (D2PAK), montaggio superficiale (SMT)
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| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 5,190 |
| 10+ | € 3,700 |
| 100+ | € 2,850 |
| 500+ | € 2,680 |
| 1000+ | € 2,200 |
Informazioni sui prodotti
Panoramica del prodotto
IPB025N10N3 è un MOSFET di potenza a canale N da 100V che offre soluzioni superiori per SMPS ad alta densità di potenza e alta efficienza. Rispetto ad altri transitori, infatti, raggiunge fino al 30% in meno in termini di RDS (on) e FOM (Cifra di merito). Il MOSFET OptiMOS™ offre l’RDS (on) più basso del settore all’interno delle classi di tensione. È pensato idealmente per le applicazioni di commutazione ad alta frequenza e per le tecnologie ottimizzate dei convertitori DC-DC.
- Performance di commutazione eccellenti
- Rispettoso dell’ambiente
- Efficienza aumentata
- Altissima densità di potenza
- Richiede meno messa in parallelo
- Consumo di spazio su scheda ridottissimo
- Facile da progettare
Avvertenze
La domanda del mercato per questo prodotto ha causato un'estensione dei tempi di consegna, le date di consegna possono variare.
Specifiche tecniche
canale N
180A
TO-263 (D2PAK)
10V
300W
175°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
100V
2500µohm
montaggio superficiale (SMT)
2.7V
7Pin
-
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Alternative per IPB025N10N3GATMA1
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Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
RoHS
RoHS
Certificato di conformità del prodotto