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IPB020NE7N3GATMA1
MOSFET di potenza, canale N, 75 V, 120 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), montaggio superficiale (SMT)
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPB020NE7N3GATMA1
Codice Prodotto2443378RL
Gamma ProdottiOptiMOS 3 Series
Anche noto comeIPB020NE7N3 G , SP000676950
Datasheet tecnico
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPB020NE7N3GATMA1
Codice Prodotto2443378RL
Gamma ProdottiOptiMOS 3 Series
Anche noto comeIPB020NE7N3 G , SP000676950
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds75V
Corrente Continua di Drain Id120A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.002ohm
Stile di Case del TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3.8V
Dissipazione di potenza300W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiOptiMOS 3 Series
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
The IPB020NE7N3 G is a N-channel Power MOSFET with OptiMOS™ technology specializes in synchronous rectification applications. Based on the leading 80V technology these 75V products feature simultaneously lowest ON-state resistances and superior switching performance.
- Best switching performance
- World's lowest RDS (ON)
- Very low Qg and Qgd
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- MSL1 rated
- Increased efficiency
- Highest power density
- Less paralleling required
- Smallest board-space consumption
- Easy-to-design products
- Ideal for high frequency switching and DC-to-DC converters
- Normal level
- 100% avalanche tested
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Halogen-free, Green device
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
120A
Stile di Case del Transistor
TO-263 (D2PAK)
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
300W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
75V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.002ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3.8V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
OptiMOS 3 Series
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (3)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00181
Tracciabilità del prodotto