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IPA95R450P7XKSA1
MOSFET di potenza, canale N, 950 V, 14 A, 0.45 ohm, TO-220FP, foro passante (THT)
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPA95R450P7XKSA1
Codice Prodotto2916155
Gamma ProdottiCoolMOS P7
Anche noto comeIPA95R450P7, SP001792306
Datasheet tecnico
1 226 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPA95R450P7XKSA1
Codice Prodotto2916155
Gamma ProdottiCoolMOS P7
Anche noto comeIPA95R450P7, SP001792306
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds950V
Corrente Continua di Drain Id14A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.45ohm
Stile di Case del TransistorTO-220FP
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3V
Dissipazione di potenza30W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiCoolMOS P7
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
950V CoolMOS™ P7 SJ power device recommended for flyback topologies for LED lighting, low power chargers and adapters, smartMeter, AUXpower and industrial power. Also suitable for PFC stage in consumer and solar applications.
- Integrated Zener diode ESD protection
- Best-in-class CoolMOS™quality and reliability
- Fully optimized portfolio
- Enabling higher power density designs, BOM savings and lower assembly costs
- Easy to drive and to parallel
- Better production yield by reducing ESD related failures
- Less production issues and reduced field returns
- Easy to select right parts for fine tuning of designs
Avvertenze
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
14A
Stile di Case del Transistor
TO-220FP
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
30W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
950V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.45ohm
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
CoolMOS P7
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000256
Tracciabilità del prodotto