Stampa pagina
IMZA65R107M1HXKSA1
MOSFET al carburo di silicio, configurazione singola, canale N, 20 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-247
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIMZA65R107M1HXKSA1
Codice Prodotto3500952
Gamma ProdottiCoolSiC M1
Anche noto comeIMZA65R107M1H, SP005398435
Datasheet tecnico
112 A Stock
Ti serve altro?
Consegna EXPRESS in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00
Consegna standard GRATUITA
per gli ordini di importo pari e superiore a € 0,00
I tempi di consegna precisi saranno calcolati al momento del pagamento
| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 5,790 |
| 10+ | € 3,430 |
| 100+ | € 2,970 |
| 500+ | € 2,730 |
| 1000+ | € 2,680 |
Prezzo per:Unità
Minimo: 1
Più: 1
€ 5,79 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIMZA65R107M1HXKSA1
Codice Prodotto3500952
Gamma ProdottiCoolSiC M1
Anche noto comeIMZA65R107M1H, SP005398435
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETconfigurazione singola
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id20A
Tensione Drain Source Vds650V
Resistenza Drain-Source in conduzione0.107ohm
Stile di Case del TransistorTO-247
Numero di pin4Pin
Tensione di test di Rds(on)18V
Tensione di soglia Gate-Source massima4.5V
Dissipazione di potenza75W
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiCoolSiC M1
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
configurazione singola
Corrente Continua di Drain Id
20A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.107ohm
Numero di pin
4Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
4.5V
Temperatura di esercizio max
150°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
650V
Stile di Case del Transistor
TO-247
Tensione di test di Rds(on)
18V
Dissipazione di potenza
75W
Gamma di prodotti
CoolSiC M1
Documenti tecnici (1)
Prodotti associati
4 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001
Tracciabilità del prodotto