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IMZ120R030M1HXKSA1
MOSFET al carburo di silicio, configurazione singola, canale N, 56 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIMZ120R030M1HXKSA1
Codice Prodotto3223684
Gamma ProdottiCoolSiC
Anche noto comeIMZ120R030M1H, SP001727394
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETconfigurazione singola
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id56A
Tensione Drain Source Vds1.2kV
Resistenza Drain-Source in conduzione0.03ohm
Stile di Case del TransistorTO-247
Numero di pin4Pin
Tensione di test di Rds(on)18V
Tensione di soglia Gate-Source massima4.5V
Dissipazione di potenza227W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiCoolSiC
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
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Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
configurazione singola
Corrente Continua di Drain Id
56A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.03ohm
Numero di pin
4Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
4.5V
Temperatura di esercizio max
175°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
1.2kV
Stile di Case del Transistor
TO-247
Tensione di test di Rds(on)
18V
Dissipazione di potenza
227W
Gamma di prodotti
CoolSiC
Documenti tecnici (1)
Alternative per IMZ120R030M1HXKSA1
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Prodotti associati
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Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001
Tracciabilità del prodotto