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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIMT65R050M2HXUMA1
Codice Prodotto4677114RL
Gamma ProdottiCoolSiC Gen 2 Series
Anche noto comeIMT65R050M2H, SP006051127
Datasheet tecnico
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIMT65R050M2HXUMA1
Codice Prodotto4677114RL
Gamma ProdottiCoolSiC Gen 2 Series
Anche noto comeIMT65R050M2H, SP006051127
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETconfigurazione singola
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id48.1A
Tensione Drain Source Vds650V
Resistenza Drain-Source in conduzione0.046ohm
Stile di Case del TransistorHSOF
Numero di pin8Pin
Tensione di test di Rds(on)20V
Tensione di soglia Gate-Source massima5.6V
Dissipazione di potenza237W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiCoolSiC Gen 2 Series
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
configurazione singola
Corrente Continua di Drain Id
48.1A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.046ohm
Numero di pin
8Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
5.6V
Temperatura di esercizio max
175°C
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
650V
Stile di Case del Transistor
HSOF
Tensione di test di Rds(on)
20V
Dissipazione di potenza
237W
Gamma di prodotti
CoolSiC Gen 2 Series
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:In attesa di conferma
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto