Stampa pagina
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIMDQ75R008M1HXUMA1
Codice Prodotto4295097RL
Gamma ProdottiCoolSiC Gen I Series
Anche noto comeIMDQ75R008M1H, SP005588261
Datasheet tecnico
523 A Stock
Ti serve altro?
Consegna EXPRESS in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00
Consegna standard GRATUITA
per gli ordini di importo pari e superiore a € 0,00
I tempi di consegna precisi saranno calcolati al momento del pagamento
Quantità | |
---|---|
10+ | € 17,430 |
50+ | € 16,470 |
100+ | € 15,500 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 10
Più: 1
€ 179,30 (IVA esc)
Per questo prodotto verranno addebitati € 5,00 per il re-reeling
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIMDQ75R008M1HXUMA1
Codice Prodotto4295097RL
Gamma ProdottiCoolSiC Gen I Series
Anche noto comeIMDQ75R008M1H, SP005588261
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETconfigurazione singola
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id173A
Tensione Drain Source Vds750V
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0106ohm
Stile di Case del TransistorHDSOP
Numero di pin22Pin
Tensione di test di Rds(on)18V
Tensione di soglia Gate-Source massima5.6V
Dissipazione di potenza625W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiCoolSiC Gen I Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
configurazione singola
Corrente Continua di Drain Id
173A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0106ohm
Numero di pin
22Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
5.6V
Temperatura di esercizio max
175°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
750V
Stile di Case del Transistor
HDSOP
Tensione di test di Rds(on)
18V
Dissipazione di potenza
625W
Gamma di prodotti
CoolSiC Gen I Series
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0013
Tracciabilità del prodotto