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IMDQ65R010M2HXUMA1
MOSFET al carburo di silicio, configurazione singola, canale N, 154 A, 650 V, 0.091 ohm, HDSOP
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIMDQ65R010M2HXUMA1
Codice Prodotto4667118RL
Anche noto comeIMDQ65R010M2H, SP006051117
Datasheet tecnico
Disponibile per l'ordine
Tempo di approvvigionamento standard del produttore: 25 settimana/e
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| Quantità | |
|---|---|
| 10+ | € 19,920 |
| 50+ | € 17,980 |
| 100+ | € 16,590 |
| 250+ | € 16,440 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 10
Più: 1
€ 204,20 (IVA esc)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIMDQ65R010M2HXUMA1
Codice Prodotto4667118RL
Anche noto comeIMDQ65R010M2H, SP006051117
Datasheet tecnico
Corrente Continua di Drain Id154A
Tensione Drain Source Vds650V
Resistenza Drain-Source in conduzione0.091ohm
Numero di pin22Pin
Tensione di test di Rds(on)20V
Tensione di soglia Gate-Source massima5.6V
Dissipazione di potenza651W
Temperatura di esercizio max175°C
Specifiche tecniche
Corrente Continua di Drain Id
154A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.091ohm
Tensione di test di Rds(on)
20V
Dissipazione di potenza
651W
Tensione Drain Source Vds
650V
Numero di pin
22Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
5.6V
Temperatura di esercizio max
175°C
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:In attesa di conferma
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto