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IMCQ120R026M2HXTMA1
MOSFET al carburo di silicio, configurazione singola, canale N, 82 A, 1.2 kV, 0.0254 ohm, HDSOP
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIMCQ120R026M2HXTMA1
Codice Prodotto4695754
Gamma ProdottiCoolSiC Series
Anche noto comeIMCQ120R026M2H, SP005927117
Datasheet tecnico
488 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIMCQ120R026M2HXTMA1
Codice Prodotto4695754
Gamma ProdottiCoolSiC Series
Anche noto comeIMCQ120R026M2H, SP005927117
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETconfigurazione singola
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id82A
Tensione Drain Source Vds1.2kV
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0254ohm
Stile di Case del TransistorHDSOP
Numero di pin22Pin
Tensione di test di Rds(on)18V
Tensione di soglia Gate-Source massima5.1V
Dissipazione di potenza405W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiCoolSiC Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
IMCQ120R026M2HXTMA1 is a N-channel CoolSiC™ 1200V SiC MOSFET G2, ideal for a wide range of applications such as solid-state circuit breakers and relays, EV charging stations, online and industrial UPS systems, string inverters, general-purpose drives (GPD), commercial air vehicles (CAV), and servo drives.
- VDSS = 1200 V at Tvj = 25°C
- IDDC = 58A at TC = 100°C
- RDS(on) = 25.4mohm at VGS = 18V, Tvj = 25°C
- Very low switching losses
- Overload operation up to Tvj = 200°C
- Short circuit withstand time of 2µs
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.2 V
- Robust against parasitic turn on, 0 V turn-off gate voltage can be applied
- Robust body diode for hard commutation
- .XT interconnection technology for best-in-class thermal performance
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
configurazione singola
Corrente Continua di Drain Id
82A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0254ohm
Numero di pin
22Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
5.1V
Temperatura di esercizio max
175°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
1.2kV
Stile di Case del Transistor
HDSOP
Tensione di test di Rds(on)
18V
Dissipazione di potenza
405W
Gamma di prodotti
CoolSiC Series
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:In attesa di conferma
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00001
Tracciabilità del prodotto