Stampa pagina
IMBG65R163M1HXTMA1
MOSFET al carburo di silicio, configurazione singola, canale N, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIMBG65R163M1HXTMA1
Codice Prodotto3928610
Gamma ProdottiCoolSiC M1 Trench Series
Anche noto comeSP005539187, IMBG65R163M1H
Datasheet tecnico
Disponibile per l'ordine
Tempo di approvvigionamento standard del produttore: 25 settimana/e
Avvisami non appena disponibile
| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 3,860 |
| 10+ | € 2,770 |
| 100+ | € 2,230 |
| 500+ | € 2,150 |
| 1000+ | € 1,860 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 1
Più: 1
€ 3,86 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIMBG65R163M1HXTMA1
Codice Prodotto3928610
Gamma ProdottiCoolSiC M1 Trench Series
Anche noto comeSP005539187, IMBG65R163M1H
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETconfigurazione singola
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id17A
Tensione Drain Source Vds650V
Resistenza Drain-Source in conduzione0.163ohm
Stile di Case del TransistorTO-263
Numero di pin7Pin
Tensione di test di Rds(on)18V
Tensione di soglia Gate-Source massima4.5V
Dissipazione di potenza85W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiCoolSiC M1 Trench Series
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
configurazione singola
Corrente Continua di Drain Id
17A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.163ohm
Numero di pin
7Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
4.5V
Temperatura di esercizio max
175°C
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
650V
Stile di Case del Transistor
TO-263
Tensione di test di Rds(on)
18V
Dissipazione di potenza
85W
Gamma di prodotti
CoolSiC M1 Trench Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (1)
Prodotti associati
4 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001588
Tracciabilità del prodotto